সম্পাদনা: একটি ভোল্টেজ ডিভাইডারে ভোল্টেজ গণনা করার জন্য যুক্ত উদাহরণ example
কারণ আপনি যদি কোনও কিছুর প্রতিরোধের পরিমাপ করতে চান তবে আপনার এতে ভোল্টেজ প্রয়োগ করতে হবে।
এবং যদি আপনি ভোল্টেজ প্রয়োগ করেন তবে আপনার কোনওভাবে সেই ভোল্টেজটি পরিমাপ করতে হবে এবং কেবল ফটোরেজিস্টরের টার্মিনালের মধ্যে পরিমাপ করে যা + 5 তে রয়েছে এবং টার্মিনাল যা জি এন ডি তে রয়েছে, আপনি ঠিক + 5 পাবেন+5V(Vcc)GND , সেখানে কোনও পরিবর্তনশীল ভোল্টেজ নেই, যত তাড়াতাড়ি ছোট বা কত বড় ফটোসরিস্টরের প্রতিরোধের। +5V
এই সার্কিটটি অনুকরণ করুন - সার্কিটল্যাব ব্যবহার করে স্কিম্যাটিক তৈরি করা হয়েছে
আপনি উপরের স্কিমেটে 5V পরিমাপ করুন।
আপনি একটি ভোল্টেজ বিভাজক ব্যবহার করে সমস্যার সমাধান করুন:
এই সার্কিট অনুকরণ
এখন আপনি রেজিস্টারে ভোল্টেজের ড্রপটি পরিমাপ করতে পারেন এবং সেই মানটি থেকে আপনি ফোরোরিস্টর কত পরিমাণে আলোক গ্রহণ করতে পারেন তা অনুমান করতে পারেন।
উদাহরণ:
দ্বিতীয় চিত্রটিতে আপনি দেখতে পাবেন যে ভোল্টেজটি 50 এর মধ্যে প্রয়োগ করা হয় এবং একটি 10050Ω প্রতিরোধের। কারণ ওহমের আইন বলে যে U = R ⋅ I এবং বর্তমানকে অবশ্যই সিরিজ সার্কিটের সমান হতে হবে, একই পরিমাণের প্রবাহ আর 1 এবং আর 2 দিয়ে প্রবাহিত হবে।
সিরিজ সার্কিটে কারেন্ট একই থাকে তবে সার্কিটের মধ্যে ভোল্টেজ ভাগ হয় shared
আমরা নিম্নলিখিত সমীকরণটি লিখতে পারি:100ΩU=R⋅IR1R2
= আর 1 ⋅ আমিUR1R1⋅I
আপনি যদি জিজ্ঞাসা করতে পারেন যে আমরা যদি বর্তমানটি না জানি তবে আমরা কীভাবে ভোল্টেজ গণনা করতে পারি।
ঠিক আছে, আমরা বর্তমানটি জানি না, তবে আমরা ওহমের আইন ব্যবহার করে এটি গণনা করতে পারি।
আমরা মূল ওহমের আইন সমীকরণটি আলাদাভাবে লিখি:
U=R⋅I⇒I=UR
কারণ এক্ষেত্রে মোট প্রতিরোধ ক্ষমতা (বা 150)R1+R2 আমাদের উদাহরণে), বর্তমানের সমীকরণটি I = U হবে150Ω ।I=UR1+R2
আমরা এই সমীকরণটি উপরে উল্লিখিত সমীকরণের একক পরিবর্তনশীলকে বিকল্প হিসাবে ব্যবহার করতে পারি।
সুতরাং প্রতিরোধকের প্রত্যেকটির সমীকরণটি হ'ল:I
= আর 1 ⋅ ইউUR1R1⋅UR1+R2
= আর 2 ⋅ ইউUR2 ।R2⋅UR1+R2
যদি আমাদের উপর আর 1 এবং 10050ΩR1 উপর আর 2 , তারপর তাদের উপর ভোল্টেজের হতে হবে100ΩR2
= আর 1 ⋅ ইউUR1R1⋅UR1+R2=50Ω⋅5V50Ω+100Ω=50Ω⋅5V150Ω=50Ω⋅0,03˙A=1,6˙V
= আর 2 ⋅ ইউইউR2 ।আর2। ইউআর1+ আর2=100Ω ⋅5ভী50Ω +100Ω=100Ω ⋅5ভী150Ω=100Ω ⋅ 0 , 0 3˙এ = 3 , 3˙ভী
তাহলে (উদাহরণস্বরূপ কম আলোকসজ্জা জন্য) পরিবর্তিত হবে এবং তার প্রতিরোধের রি করতে 150আর2 , ভোল্টেজের হতে হবে150Ω
= আর 1 ⋅ ইউইউআর1R1⋅UR1+R2=50Ω⋅5V50Ω+150Ω=50Ω⋅5V200Ω=50Ω⋅0,025A=1,25V
ইউআর2আর2। ইউআর1+ আর2= 150Ω⋅5ভী50Ω+150Ω=150Ω ⋅5ভী200Ω=150Ω ⋅ 0 ,025এ = 3 ,75ভী
ফটোরেস্টারের প্রতিরোধের পরিমাণ যত বাড়বে তত বেশি ভোল্টেজ নেমে আসবে।
যদি আমরা ফোটোরিস্টরকে আরও আলোকসজ্জা দেয় এবং এর প্রতিরোধক নেমে আসে75Ω
ইউআর1আর1। ইউআর1+ আর2= 50Ω ⋅ 5ভী50Ω + + 75Ω= 50Ω ⋅ 5ভী125Ω= 50Ω ⋅ 0 , 04এ = 2ভী
ইউআর2R2⋅UR1+R2=75Ω⋅5V50Ω+75Ω=75Ω⋅5V125Ω=75Ω⋅0,04A=3V.
The lesser the resistance of the photoresistor gets, the less voltage will drop across it (and more voltage will drop across the other resistor).
As you can see, we moved from 3,3˙V to 3,75V when the photoresistor's resistance rised then the voltage dropped to 3V when the resistance fell.