বিজেটিগুলি কি স্তর-শিফটারগুলির জন্য উপযুক্ত? দেখে মনে হচ্ছে এফইটিগুলি আরও সাধারণ, তারা কীভাবে তুলনা করবে?

16

আমি শখের একজন এবং এফইটি ট্রানজিস্টরের ডেটাশিট / টিউটোরিয়ালটি কখনই পাইনি; আমি বিজেটি মানুষ। আমি বিজেটি বনাম এফইটি এবং প্রতিটি প্রকারের জন্য সুনির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলির সাথে সুনির্দিষ্টভাবে আলোচনার বিষয়গুলি খুঁজে পাইনি। আমার প্রকল্পগুলি খুব সাধারণ স্যুইচিং এবং লজিক গেট স্টাইলের সার্কিট। সুতরাং একবার যখন আমি প্রকল্পের প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করার জন্য বিজেটিগুলি পেয়েছিলাম, তখন আমি কেবল যা কাজ করছি তা নিয়েই থাকি। আমি EE-SE এ গবেষণা করে বিকেলে কাটিয়েছি এবং প্রচুর ভাল জিনিস পেয়েছি। আমি দেখতে পেয়েছি যে এফইটিগুলি লেভেল শিফটারগুলির জন্য আরও জনপ্রিয় পছন্দ বলে মনে হয়েছিল। আমি আশা করছিলাম যে কিছু সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এফইটিএস এবং বিজেটি-র সাথে জড়িত শক্তি / দুর্বলতা এবং ট্রেড-অফ সম্পর্কিত কোনও "ডামিদের জন্য" ব্যাখ্যা সরবরাহ করতে পারে hop

আমি আমার প্রকল্পের জন্য এই স্তরের শিফটারটি বেছে নিয়েছি: আমি ESP8266 ব্যবহার করে একটি 5 ভি রিলে চালাতে চাই যার সাথে 3.3V জিপিআইও রয়েছে। আমি রিলে এর কয়েল কারেন্টটি প্রায় 100mA হতে মাপা করেছি। আমি একটি এস 8050 এবং সর্বনিম্ন অংশগুলি ব্যবহার করতে চাই, প্রয়োজনীয়তা বেশি নয়। আমি কেবল একটি পিআইআর সেন্সরে পিনটি পড়ার জন্য ESP8266 ব্যবহার করছি এবং রিলে ব্যবহার করে একটি আলো নিয়ন্ত্রণ করতে কিছু টগল সুইচও পড়েছি। উপরের সার্কিটটি কি ভাল পছন্দ? আমি আমার নিজস্ব সার্কিট ডিজাইন করেছি, তবে এটি ব্যবহার করতে যাচ্ছি না। তবুও, কেউ যদি আমার নকশার অনুগ্রহ করে কিছু হানচ, অনুমান এবং সম্ভবত কিছুটা ভুডোর উপর ভিত্তি করে আমার ডিজাইনের একটি বিশ্লেষণ সরবরাহ করে তবে এটি আমার বুঝতে সহায়তা করবে।

সংক্ষেপে, আমি যুক্তি দিয়েছিলাম যে আমার বেস-কারেন্ট (জিপিআইও আউটপুট 3.3V - কিউ 1 এর 0.7V বেস) / আর 2 = 2.6 এমএ এর 1 কে ওহম ভোল্টেজ ডিভাইডার আর 1 / আর 3 এর বর্তমান দ্বারা খুব বেশি প্রভাবিত হবে না যা আমি মনে করি 5 / (100K + 100K) = 25uA। আর 1, আর 2, আর 3 এবং ইউ 1 এর বেসটি কীভাবে কাজ করবে তা আমি জানি না; আমি অনুমান করেছি যে ইউ 1 এর বেসটি ডিভাইডারের 2.5V কে নীচে 0.7V তে টেনে তুলবে, তবে জিপিআইও সূত্রের 2.6mA এর সাথে এটি কীভাবে প্রভাব ফেলবে তা নিশ্চিত ছিল না। যে কারণে আমি সংযুক্ত সার্কিটের সাথে গিয়েছিলাম।

relay gpio level-shifting

— JRE
সূত্র

1

আর 1 কী করছে?

— পেরিসিথিয়ন

এখানেই ভুডু আসে: এটি কেবল এমন কিছু যা বিভিন্ন সার্কিট ওয়েব সাইট থেকে পরিচিত বলে মনে হচ্ছে। আমার যাদু 8-বলের সাথে পরামর্শ করার পরে, আমি ভেবেছিলাম যে আমি সার্কিটটি "বাইসিং" করার চেষ্টা করব। মূলত, আমি কেবলমাত্র জিপিআইও পিনটি 3.3V ছাড়িয়ে যেতে চেয়েছি। আমি যেমন বলেছিলাম, "ভুডু" (বা সম্ভবত কুসংস্কার ... যাই হোক না কেন)।

5

আমি সন্দেহ করি এফইটিগুলির জনপ্রিয়তার অংশটি হ'ল, বর্তমান চালিতের চেয়ে ভোল্টেজ হওয়া এবং বেশিরভাগ লোক স্যুইচিং অ্যাপ্লিকেশন ব্যবহার করে, তারা অনেক দিক থেকে বোঝা সহজ। বিজেটিগুলির সাথে স্রোতে ভাবা কিছুটা মাথা চুলকানো হতে পারে। কখনও কখনও এফটিএসটিএসের সাথে ব্যঙ্গাত্মক অসুবিধা হওয়ায় আপনার গেটে প্রয়োগ করার জন্য সেই ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় এবং আপনার ইতিবাচক রেল ইত্যাদির উপরে কোনও অতিরিক্ত ভোল্ট পাওয়া যায়নি

— ইয়ান ব্ল্যান্ড

17

রশ্মি. হ্যাঁ, আপনি কল্পনা করতে পারেন এমন কোনও ধরণের স্যুইচিংয়ের ব্যবস্থা করার জন্য বিজেটি ব্যবহার করার জন্য হাজার হাজার ভাল পৃষ্ঠা নেই। তারা লেভেল শিফটার হিসাবেও দুর্দান্ত কাজ করে , যদিও আপনার এই বাক্যাংশটি ব্যবহার করা সত্ত্বেও আমি আসলে এখানে আপনার পরিস্থিতি মনে করি না। আপনি যদি বিজেটি ব্যবহার করে স্তর বদলানোর উদাহরণ দেখতে চান তবে আপনি আমার উত্তরটি এখানে দেখতে পারেন ।

নীচে, আপনাকে একটি মাছ দেওয়ার পরিবর্তে, আমি চেষ্টা করব এবং আপনাকে মাছ শিখিয়ে দেব।

আপনার আই / ও পিনের চেয়ে বেশি (বর্তমানের মতো) বা আপনার আই / ও পিনের চেয়ে আলাদা, উচ্চতর ড্রাইভিং ভোল্টেজ (আবার, আপনার রিলের মতো) পরিচালনা করতে পারে এমন পরিস্থিতিতে বা আপনার যেখানে প্ররোচক বিরুদ্ধে কিছু সুরক্ষা প্রয়োজন সেখানে কিকব্যাক (আরও একবার, আপনার রিলের মতো) আপনি সম্ভবত একটি বাহ্যিক বিজেটি বা এফইটি একটি স্যুইচ হিসাবে ব্যবহার করতে চাইবেন।

আপনি জিনিসগুলি যাতে এমনভাবে স্যুইচ করতে পারেন:

নীচের দিকে (স্থল কাছাকাছি), বা
উচ্চ দিকে (আপনার রিলে বা অন্যান্য ডিভাইসের জন্য ড্রাইভিং ভোল্টেজের কাছে), বা or
উভয় পক্ষের (এইচ-ব্রিজ, ব্রিজ-বাঁধা বোঝা ইত্যাদি)

তবে আপনার উপরের (2) বা (3) বাছাই করার জন্য সত্যিকারের একটি ভাল কারণ থাকতে হবে। এগুলি আরও অংশগুলিতে জড়িত এবং আপনার যদি কোনও ভাল কারণ না থাকে তবে প্রায়শই অহেতুক জটিল। সুতরাং নিম্ন-পাশের স্যুইচটি এই জাতীয় কোনও কিছুর জন্য পরীক্ষা করা প্রথম পছন্দ।

যে কোনও স্যুইচ ডিজাইন করার জন্য, আপনাকে কী চালনা করতে হবে তার স্পেসিফিকেশন এবং এটি ড্রাইভিংয়ের জন্য আপনার যা আছে তার স্পেসিফিকেশন দিয়ে শুরু করুন।

আসুন একটি ESP8266 ডেটাশিটটি দেখুন :

এখানে আপনি দেখতে পাচ্ছেন যে I / O পিনের বর্তমান সম্মতিতে এর সর্বাধিক মান রয়েছে । এর অর্থ এই মানটির অধীনে আপনার ভাল থাকার পরিকল্পনা করা উচিত। আমি সর্বাধিকের অর্ধেকের নীচে থাকতে চাই, যদি আমি এটি পরিচালনা করতে পারি তবে আরও কম ভাল। কম ভাল কারণ আপনি যদি একই সময়ে বিভিন্ন আই / ও পিনগুলি ব্যবহার করেন তবে লোডিংটি যুক্ত হয় এবং পুরো বন্দর এবং পুরো ডিভাইসের জন্যও সীমাবদ্ধতা থাকে। এমনকি যদি তাদের বলা না হয় তবে তাদের উপস্থিতি রয়েছে। সুতরাং যতটা সম্ভব জিনিস কম রাখুন। $I_{MAX}=12\:\textrm{mA}$

ভোল্টেজ সীমা নোট করুন। ধরে নিচ্ছি আপনি , তারপরে তারা এর 80% বা উচ্চ আউটপুট ভোল্টেজের গ্যারান্টি দেয় $V_{CC}=3.3\:\textrm{V}$ (এই মানে, যখন গুন।) তারা যে 80% কম আউটপুট ভোল্টেজ গ্যারান্টি, অথবা

\begin{matrix} (Voh Min) & V_{O H} \geq 2.64 V \end{matrix}

$V_{OH}\ge 2.64\:\textrm{V}\label{voh}\tag{Voh Min}$

I_{M A X}

$I_{MAX}$

(এর অর্থ,

ডুবে যাওয়ার সময়)

\begin{matrix} (Vol Max) & V_{O L} \leq 330 mV \end{matrix}

$V_{OL}\le 330\:\textrm{mV}\label{vol}\tag{Vol Max}$

I_{M A X}

$I_{MAX}$

আসুন এখন একটি সাধারণ রিলে ডেটাশিটটি দেখুন :

এখান থেকে আপনি দেখতে পাবেন যে প্রতিরোধের is এবং প্রয়োজনীয় বর্তমান $125\:\Omega$ । $40\:\textrm{mA}$

$V_{CE}$ $V_{CE}$ $V_{CE}$ $\beta$

উপরের তথ্যের বিটগুলি বলছে যে আপনাকে আগে উল্লিখিত সমস্ত কারণে সত্যই বাহ্যিক সুইচ দরকার। আপনার এটি দরকার কারণ এটির জন্য আরও বর্তমানের সম্মতি প্রয়োজন তবে আপনার আই / ও পিন সরবরাহ করতে পারে, কারণ আপনি আপনার আই / ও পিনটিকে রিলে-এর ইন্ডাক্ট্যান্স থেকে ব্যাক-এমএফ থেকে রক্ষা করতে চান এবং কারণ রিলে আপনার আই / ও এর চেয়ে বেশি ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় because পিন সরবরাহ করতে পারেন। এমনকি সরাসরি আই / ও ব্যবহার করার কথা ভাবেন না!

রিলে প্রয়োজনীয় কম বর্তমানের কারণে আপনি প্রায় কোনও বিজেটিও ব্যবহার করতে পারেন।

$100\:\textrm{mA}$

এই ক্ষেত্রে, আমি আমার প্রচুর যা ব্যবহার করব: অনসেমি পিএন 2222 এ ডিভাইস। চিত্র 11 পরীক্ষা করে শুরু করা যাক:

$\beta=\frac{I_C}{I_B}=10$ $V_{CE}$ $\frac{I_C}{I_B}=10$

\begin{matrix} (Ib) & I_{B} = 4 mA \end{matrix}

$I_B=4\:\textrm{mA}\label{ib}\tag{Ib}$

\begin{matrix} (Vbe) & V_{B E} \approx 800 mV \end{matrix}

$V_{BE}\approx 800\:\textrm{mV}\label{vbe}\tag{Vbe}$

স্কিম্যাটিক প্রস্তুত করার সময়:

পরিকল্পিত

^{এই সার্কিটটি অনুকরণ করুন - সার্কিটল্যাব ব্যবহার করে স্কিম্যাটিক তৈরি করা হয়েছে}

$R_1$ $\ref{voh}$ $\ref{vbe}$ $\ref{ib}$

\begin{matrix} (R1) & R_{1} = \frac{2.64 V - 800 mV}{4 mA} = 460 Ω \end{matrix}

$R_1=\frac{2.64\:\textrm{V}-800\:\textrm{mV}}{4\:\textrm{mA}}=460\:\Omega\label{r1}\tag{R1}$

$470\:\Omega$

বলুন যে আপনার আই / ও পিনটি আমরা ধরে নিয়েছি তার চেয়ে বেশি শক্তিশালী এবং পূর্ণ রেখেছি $3.3\:\textrm{V}$ $\frac{3.3\:\textrm{V}-800\:\textrm{mV}}{470\:\Omega}\approx 4.4\:\textrm{mA}$

$R_1$

সম্পাদনা: আপনার ইঙ্গিত সহ (নীচে মন্তব্যে) মান $100\:\textrm{mA}$ $\beta$

এখানে, আপনি লেবেলযুক্ত একটি বক্ররেখা দেখতে পাবেন $150\:\textrm{mA}$ $I_B$ $V_{CE}$ $V_{CE}$ $100\:\textrm{mV}$ $I_B\approx 8\:textrm{mA}$ $10\:\textrm{mA}$ $\beta$

আপনার রিলে এ এগুলি একসাথে নেওয়া $100\:\textrm{mA}$ $I_B=4\:\textrm{mA}$ $I_B=5\:\textrm{mA}$ $I_B=6.7\:\textrm{mA}$

$\ref{r1}$

\begin{matrix} (R1 redo 1) & R_{1} = \frac{2.64 V - 800 mV}{5 mA} = 368 Ω \end{matrix}

$R_1=\frac{2.64\:\textrm{V}-800\:\textrm{mV}}{5\:\textrm{mA}}=368\:\Omega\label{r1x}\tag{R1 redo 1}$

\begin{matrix} (R1 redo 2) & R_{1} = \frac{2.64 V - 800 mV}{6.7 mA} = 275 Ω \end{matrix}

$R_1=\frac{2.64\:\textrm{V}-800\:\textrm{mV}}{6.7\:\textrm{mA}}=275\:\Omega\label{r1y}\tag{R1 redo 2}$

এই দুজনের মাঝে? আমি কেবল নিয়ে যাব $R_1=330\:\Omega$ $7.5\:\textrm{mA}$ $12\:\textrm{mA}$

— jonk
সূত্র

দুর্দান্ত উত্তর! এটি আমি যে সার্কিটটি ব্যবহার করব এটি ইতিমধ্যে আমার কাছে 2N2222A রয়েছে যা আমি বেদম হয়েছি। আমি ভেবেছিলাম আমার এই উপাদানটি নীচে নেমে এসেছে তবে আমি খুশি হয়েছি আপনি যে বিবরণটি দিয়েছিলেন তাতে গিয়েছেন কারণ আমি দেখতে পাচ্ছি যে আমি কিছু বিষয়ে কিছুটা নড়বড়ে: প্রথমত, আমি উচ্চতর গ্যারান্টিযুক্ত মানগুলিতে মনোযোগ দেব মাত্রার আউটপুট ভোল্টেজ এবং 80% (বা যাই হোক না কেন ক্ষেত্রে) এর ফ্যাক্টর, কেবল আমার গণনায় সম্পূর্ণ 100% ব্যবহার না করে। আমাকে যে জিনিসটি সত্যিই অবাক করেছিল তা হ'ল সংগ্রাহক কারেন্ট / বেস কারেন্টের বিটা প্যারামিটারটি আপনার ব্যবহার। আমি এই সময়টি এইচএফই ব্যবহার করে আসছি। আমি পর্যালোচনা করেছি

আমার প্রশ্নের গণনাগুলি, সুতরাং: আমি 5 ভি সরবরাহ ব্যবহার করে রিলে মাধ্যমে 100mA পরিমাপ করেছি (আমি মুদ্রণটি আটকিয়ে রেখেছি বলে ডেটাশিট পেতে পারি না)। আমি এটি প্রস্তাবিত 2X- 5X সুরক্ষা মার্জিন দ্বারা গুন করেছি, তাই আমি 260mA এ স্থির হয়েছি। আমি কি সংগ্রাহক কারেন্টের জন্য এটি ব্যবহার করি না? 2.6mA এর বেস কারেন্ট পেতে আমি এটি 100 এর এইচএফই দ্বারা ভাগ করেছি। সুতরাং এখানে আমি সমস্ত বিভ্রান্ত: এইচএফই হ'ল সংগ্রাহকের কাছে বেসের বর্তমান লাভ। পুনঃব্যবস্থাপনা বিটা = আইকোলেক্টর / আইবেজ বেস বন্টন এক্স বিটা = সংগ্রহকারীর বর্তমান দেয়। আমি কোথায় পিছলে গেছি? আমি ডুমুর। 11,

@ রায় 71 আপনি যদি বিজেটিটি একটি স্যুইচের মতো অভিনয় করতে চান তবে আপনাকে অতিরিক্ত চালনা করতে হবে। চিত্র 11. দেখুন আপনি দিয়ে বক্ররেখা দেখতে পারেন

V_{C E} = 10 V

$V_{CE}=10\:\textrm{V}$

β

$\beta$

100 mA

$100\:\textrm{mA}$

β = 15

$\beta=15$

শীর্ষে 3 টি প্লট রয়েছে যার মধ্যে 2 টি ভাল লেবেলযুক্ত তবে তৃতীয়টি কেবল "1.0 ভি" বলে says যদিও আমি লেবেলযুক্ত একটিটি ব্যবহার করেছি, "Vbe (sat) @ Ic / Ib = 10" আমি "1.0V" সম্পর্কে আগ্রহী the .এ বিষয়টি কতটা না। আবার, অজ্ঞতার বাইরে, আমি ভেবেছিলাম যে ভঙ্গুর চেহারার চেয়ে 1N4148 চেয়ে "বেফিয়ার" হওয়া মানে এটি আরও "ভারী দায়িত্ব" ছিল। আচরণের পার্থক্য।আমি তার কাছ থেকে অনুমান করেছি যে তিনি

V_{C E}

$V_{CE}$

V_{C E}

$V_{CE}$

V_{C E} = 1 V

$V_{CE}=1\:\textrm{V}$

V_{C E} = 10 V

$V_{CE}=10\:\textrm{V}$

10

আপনার এই "ভুডু" দরকার নেই। আর 1 এবং আর 3 উভয়ই এখানে অপ্রয়োজনীয়। একটি বাইপোলার ট্রানজিস্টর ভোল্টেজ নয়, স্রোতে কাজ করছে। এই প্রতিরোধকগুলি কেবল রৈখিক পরিবর্ধকগুলির জন্য তার রৈখিক অঞ্চলে ট্রানজিস্টরকে পক্ষপাতদুষ্ট করতে প্রয়োজন। আপনি লিনিয়ার পরিবর্ধন চান না, আপনি উচ্চ-দক্ষতার স্যুইচিং চান।

পরিকল্পিত

^{এই সার্কিটটি অনুকরণ করুন - সার্কিটল্যাব ব্যবহার করে স্কিম্যাটিক তৈরি করা হয়েছে}

$U_{BE}$

একটি স্যুইচিং ট্রানজিস্টর ব্যবহার করুন, এগুলির উচ্চ বিটা মান রয়েছে এবং খুব কম ইনপুট স্রোতে স্যাচুরেশনে যায়। আপনি উচ্চ লোডের জন্য ডার্লিংটন প্রকারের বিষয়টিও বিবেচনা করতে পারেন। স্যাচুরেশন ট্রানজিস্টারে কম ভোল্টেজ ড্রপ এবং কম তাপ উত্পাদন করে to

— Janka
সূত্র

4

FET গুলি পরিপূর্ণ হয় না। এইভাবে একটি বড় গতির জয়।

এবং একটি বাইপোলার ভেবে দরকারী স্রোতের জন্য 0.5--0.7volts এ প্রায় সেট করা যায়।

যেখানে কোনও এফইটি আনন্দের সাথে গেট এবং চ্যানেলের মধ্যে 1 বা 2 বা 5 বা 10 ভোল্টের অনুমতি দেয়। অপারেশন নমনীয়তার জন্য এইভাবে একটি বড় জয়।

— analogsystemsrf
সূত্র

2

বিজেটি এবং এফইটিগুলির একটি সাধারণ তুলনা:

বিজেটি: - বর্তমান-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস - চার্জ ক্যারিয়ারগুলি উভয়ই ইলেক্ট্রন এবং গর্ত (দ্বিপথ) - শারীরিকভাবে আরও বড় - খুব সামান্য ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (উচ্চতর গতি / উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি পরিবর্ধন দিতে পারে) - যেহেতু লাভ পক্ষপাত ভোল্টেজের উপর নির্ভর করে না - নিম্ন আউটপুট প্রতিবন্ধকতা থাকতে পারে, এবং তাই নিম্ন-প্রতিবন্ধী লোডগুলি সহজে চালনা করতে পারে - বর্তমান নিয়ন্ত্রণের কারণে সাধারণত উচ্চতর বিদ্যুত খরচ

এফইটিটি: - ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস (নিম্ন বিদ্যুতের খরচ, কেবলমাত্র সাধারণভাবে রাষ্ট্র পরিবর্তন করার সময় শক্তি আঁকুন) - চার্জ ক্যারিয়ারগুলি হয় ইলেক্ট্রন বা গর্ত (ধরণের উপর নির্ভর করে একতরফা) - শারীরিকভাবে ছোট - সহজে স্কেল করতে পারে (অর্ধবৃত্ত গেটটি অর্ধে প্রবাহিত করে) আকার) - সাধারণত উচ্চতর ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স এবং মিলার এফেক্টের অর্থ হ'ল লাভ যেমন বাড়তে থাকে তেমনি ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্সও হয় - লো-ইম্পিডেন্সকে কম চালানো যায় না (সাধারণত বাফার স্টেজের প্রয়োজন হয়) - সাধারণত বিদ্যুৎ খরচ কম হয়

এটি কোনওভাবেই পার্থক্যের সম্পূর্ণ তালিকা নয়, তবে আশা করি আপনার প্রশ্নের উত্তরটি দুটি ধরণের ট্রানজিস্টরের মধ্যে পার্থক্য হিসাবে রয়েছে। আমার শিক্ষাগত অভিজ্ঞতায় দেখে মনে হচ্ছে শখের প্রকল্পগুলির জন্য 95% সময়, বিজেটিগুলি যাওয়ার উপায়, তবে বড় আকারের, উচ্চ ঘনত্বের প্রকল্পগুলির জন্য, সিএমওএসই প্রাথমিক পছন্দ যেহেতু বেশিরভাগ ডিজিটাল সার্কিটগুলি সিএমওএস, এবং তাই এটি সস্তা aper একই পদ্ধতিতে এনালগ এবং ডিজিটাল উভয় উত্পাদন করতে।

— K.Effinger
সূত্র

0

কিছু অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, শক্তি দক্ষতা খুব গুরুত্বপূর্ণ। যদিও এমন অনেকগুলি অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে যেখানে এটি সত্যিকার অর্থে গুরুত্বপূর্ণ নয়, অনেকে অযথা আধুনিক প্রয়োগগুলিতে ডিজাইন সীমাবদ্ধ রাখতে পছন্দ করেন না।

যদি কোনও একক-বিজেটি-ভিত্তিক সার্কিটের দরকার হয় যা 100mA স্যুইচিং করতে সক্ষম হয় তবে এই সার্কিটটির সম্ভবত 2-10mA এর মধ্যে কোথাও আঁকতে হবে যখনই এটি চালু হওয়ার কথা, এটি কিনা লোড কারেন্টটি আসলে 100mA বা শূন্য কিনা । যদি লোডটি যে কোনও সময় এটি চালু হওয়ার সময়ে 100mA আঁকতে পারে, ততক্ষণে সিস্টেমের পাওয়ার ড্রতে 10mA যোগ করলে কেবল সামগ্রিক বিদ্যুৎ খরচ 10% বৃদ্ধি পাবে। তবে, লোডটি প্রায়শই এমন কোনও গাড়ি চালাচ্ছে যা কেবল 1 এমএ লাগে, এমনকি 2 এমএকে পাওয়ার ড্রতে যোগ করলে সেই লোডটি নিয়ন্ত্রণের সাথে সম্পর্কিত বিদ্যুৎ খরচ ট্রিপল হয়। যদি লোডটি বেশিরভাগ সময়ে স্যুইচ করা থাকে (তবে কেবল খুব সামান্য বর্তমান আঁকেন) যা খুব অপব্যয় হতে পারে।

বিজেটিগুলি এমওএসএফইটিগুলির চেয়ে দীর্ঘ সময় ধরে উপলব্ধ ছিল এবং অনেকগুলি সার্কিটগুলি সেই উপলভ্যতার আশেপাশে নকশা করা হয়েছিল। আমি জানি না যে কোনও নির্দিষ্ট এমওএসএফইটি 2N3904 এবং 2N3906 এর মতো যথেষ্ট সর্বব্যাপী। এই অংশগুলি গ্রহের সেরা ট্রানজিস্টরের কাছাকাছি কোথাও নেই, তবে সেগুলি সর্বত্র রয়েছে। আমি এমন কোনও এমওএসএফইটি জানি না যার মধ্যে কেউ একই কথা বলতে পারে।

— supercat
সূত্র