আমি সম্প্রতি বেশ কয়েকটি গ্রাহক-গ্রেড ডিভাইসগুলিতে চালিত করেছি যা প্রায় 10uF এর নীচে 50v, 0.22uF ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির পাশাপাশি একইভাবে রেটযুক্ত অন্যান্য অংশ ব্যবহার করে। ব্যবহারে, তাদের মধ্যে ভোল্টেজগুলি রেটিংয়ের তুলনায় অনেক কম, সাধারণত maximum 15-25V সর্বাধিক এবং এগুলি অপ-অ্যাম্প ফিল্টারগুলিতে বা রেল বাইপাস ক্যাপ হিসাবে ব্যবহৃত হয় বলে মনে হয়।
আমার প্রশ্নটি হ'ল: পৃথিবীতে আপনি কখনই কেন এমন পরিস্থিতিতে বিদ্যুত ব্যবহার করতে চান? আমি ভোল্টেজ বাড়ার সাথে সাথে সিরামিকগুলি ডি-রেট পেয়েছি, তবে অবশ্যই 1uF 50-250V সিরামিক ডিভাইসের আজীবনের পক্ষে আরও ভাল এবং বুট করার পক্ষে সস্তা হবে?
(এবং হ্যাঁ, আমি সিরামিক ক্যাপ বনাম ইলেক্ট্রোলাইটিক পড়েছি use ব্যবহৃত স্পষ্ট পার্থক্যগুলি কী? তবে এটি আমার প্রশ্নের পুরোপুরি উত্তর দেয় না))
3
আপনি যে ডিভাইসগুলির বিষয়ে কথা বলছেন (বা, আরও উল্লেখযোগ্যভাবে, নকশায়?) কত পুরানো? সবসময় 100nF এর উপরে সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি প্রায় আশেপাশে ছিল না - এবং এটি প্রথম উপলব্ধ হওয়ার সাথে সাথে তারা অবিশ্বস্ত ছিল।
—
জেআরই
স্থিতিশীলতা একটি সমস্যা হতে পারে - আপনার এইটি আসা উচিত ছিল: ইলেক্ট্রনিক্স.সটেকেক্সচেঞ্জ
—
সৌর মাইক
আজও, কয়েক শতাধিক এনএফ-র উপরে সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলির কিছু নির্দিষ্ট ব্যবহারের জন্য কিছু অযাচিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে; এমএলসিসিগুলি কীভাবে তাদের ক্যাপাসিট্যান্স প্রয়োগকৃত ভোল্টেজের কাজ হিসাবে কুখ্যাত।
—
হৃদয়
ঠিক আছে, সুতরাং এটি স্থিতিশীলতার মতো শোনাচ্ছে, বিশেষত প্রয়োগ হওয়া ডিসি ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ডের কারণে আসল কী। (এই অ্যাপ্লিকেশন সত্ত্বেও
—
সুগন্ধি
ঐ জন্যই আমি জিজ্ঞাসা করেছিলাম. 1990 এর দশকের গোড়ার দিকে 300nF সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলির সাথে আমার সমস্যা ছিল। তারা ফাটলগুলি বিকশিত করতে এবং ক্যাপাসিটারগুলি থেকে প্রতিরোধকগুলিতে পরিবর্তন করতে পছন্দ করে। সেই সময়টিতে "বৃহত" মান সিরামিকগুলি এড়ানোর কারণ ছিল।
—
জেআরই