সূত্রের সাথে একমত নন আমার সূচকটির স্যাচুরেশন বর্তমান

Question

আমি আমার প্রথম ইন্ডাক্টরটিকে ক্ষত দিয়েছি এবং আমি 2 পদ্ধতি দ্বারা আনয়নকে যাচাই করেছি।

যাইহোক, আমি যখন এর স্যাচুরেশন বর্তমান পরীক্ষা করি, তখন সূত্রটি আমাকে দেয় তার থেকে অনেক কম:

$B_{peak} = \dfrac{V\cdot T_{on}}{A_e\cdot N}$ (ইউনিট: ভোল্ট, মাইক্রোসেকেন্ডস, মিমি ² , )

আমি 0.2 set সেট করেছি এবং আমি আমার কোরটিতে N87 উপাদান ব্যবহার করছি।$B_{peak}$

আমি স্বীকার করি যে আমার উইন্ডিংগুলি opালু ছিল, তবে এগুলি ছাড়া আমি নিশ্চিত নই যে এর ফলে কম কম স্যাচুরেশন কারেন্টের কারণ হতে পারে। এটি প্রতিবার আমার বুস্ট রূপান্তরকারীকে ফুটিয়ে তুলছে।

এখানে উভয় স্যাচুরেশন বর্তমানকে পরিমাপ করার জন্য আমার পরীক্ষার সার্কিটটি দেওয়া হয়েছে, যেখানে আমি এটির সংশ্লেষ করতে নাড়ীর প্রস্থকে বাড়িয়েছি এবং পদ্ধতি 2 উপস্থাপনা পরিমাপের জন্যও ব্যবহার করি।

^{এই সার্কিটটি অনুকরণ করুন - সার্কিটল্যাব ব্যবহার করে স্কিম্যাটিক তৈরি করা হয়েছে}

Comments

উপস্থাপনা যাচাই করতে আপনি কোন পদ্ধতি ব্যবহার করেছেন? আপনি কোন জ্যামিতি কোর ব্যবহার করছেন?

— ব্যবহারকারী 36129

প্রথমে আমি 8.৮ এমএইচ ইনডাক্টরের সাথে সিরিজটিতে 1.5 কোহম প্রতিরোধক ব্যবহার করেছি এবং half 61 কেএইচজেড 1vpp সাইন ওয়েভ এ অর্ধ প্রশস্ততা যাচাই করেছি। দ্বিতীয়ত, আমি একটি বর্তমান বোধের প্রতিরোধকের জুড়ে ভোল্টটি পরিমাপ করেছি এবং সেই প্রতিরোধের দ্বারা বিভক্ত হয়ে আমাকে একটি পরিচিত নাড়ির প্রস্থের সাথে এটির স্পন্দিত একটি ডিসি ভোল্টেজ দিয়ে আমার সূচকগুলিতে স্রোত সরবরাহ করে। B64290L0651X087: আমি তারপর এল নিরূপণ করা আমি toroid ব্যবহার করছি সমীকরণ এল = ভী DT / দ্বি ব্যবহৃত epcos.com/inf/80/db/fer_07/r_22.pdf এটা Ae বিভাগ = 51mm ^ 2 এবং N87 সঙ্গে এক উপাদান (Bsat হয় .39T)

— EOVNightmares

কারণ 90 ডিগ্রী পরিমাপ অর্ধেক প্রশস্ততা না অগত্যা আপনি উত্তর দান করা হবে যে আপনি চিন্তা করুন। কী ? এছাড়াও আমি আপনার formulaভি ভি আর এ এল বি এম এ $V_L$$V_R$$A_L$$B_{MAX}$

— অ্যান্ডি ওরফে

আপনি বলছেন না যে কতগুলি ঘুর তারে বা কোন স্পন্দনের প্রস্থ আপনি ব্যবহার করছেন। আপনার দেওয়া পরিসংখ্যানগুলি থেকে, আমি 6.8μH এর জন্য 51 টার্ন আশা করব। 0.2 টি সর্বাধিক ক্ষেত্রের ঘনত্বের জন্য, আপনার সর্বাধিক ভোল্টেজ-সময় পণ্য 5V- এ প্রায় 520μV অর্থাৎ 104μs হবে।

— মাইকেজে-ইউকে

হ্যাঁ, এটি প্রায় 50mA বলে মনে হবে - অবশ্যই icted 77mA এর পূর্বাভাসের চেয়ে কম। এটি সমস্ত যুক্তিসঙ্গত ভিটি সংমিশ্রণের জন্য প্রয়োগ করা উচিত।

— মাইকেজে-ইউকে

Answer 1

1. N87 হ'ল স্ট্রেট-আপ ফেরাইট উপাদান, গুঁড়া লোহা জাতীয় ধরণের উপাদানের মতো বায়ু ফাঁক বিতরণ নয়। এটি কেবল টরয়েডাল আকারে থাকার অর্থ এটি বিতরণ-ফাঁক উপাদানগুলি নয় - একটি টরয়েডে N87 কোনও ই-কোর-তে N87 এর মতোই পূর্ণ করবে sat বুস্ট ইনডাক্টরের জন্য স্ট্রেট-আপ ফেরাইট ব্যবহার করার ক্ষেত্রে কোনও ভুল নেই, যতক্ষণ আপনি এটি ফাঁক করেন না (এটি আরও পরে)। এটি টরওয়েডাল ফর্মে রয়েছে এর অর্থ আপনি এটিকে ফাঁক করতে পারবেন না। আপনি যদি টরয়েডাল ফর্ম ফ্যাক্টরের সাথে থাকতে চান তবে আপনি কুল-মু-তে স্যুইচ করতে চাইতে পারেন।

2. $A_L$$A_L$

3. বুস্ট সূচকগুলি লোডের জন্য চৌম্বকীয় বর্তমান এবং শক্তি উভয়ই বহন করে (যা চৌম্বকীয়ভাবে সংরক্ষণ করা হবে এবং অফ-সময় চলাকালীন হবে)) একবার যদি কনভার্টারটি ধারাবাহিক পরিবাহী মোডে কাজ শুরু করে (যখন সূচক বর্তমান কখনও শূন্যে যায় না), এটি আরও খারাপ worse যেহেতু আপনি কোনও বিএইচ বক্ররেখা পরিচালনা করছেন যা শূন্যে পুনরায় সেট হয় না। (বিম্যাক্স এখনও বিম্যাক্স, তবে আপনার কাছে এখন ডিসি অফসেট রয়েছে যার উপরে Bpeak চড়ছেন)) এই কারণগুলি যা ইন্ডাক্টরকে এয়ার গ্যাপিংয়ের প্রয়োজন - মূলত অন্যথায় স্যাচুরেশন ছাড়াই কোনও উল্লেখযোগ্য ডিসি কারেন্ট পরিচালনা করতে সক্ষম হবে না।

4. আমি নিশ্চিত না যে আমি আপনার পরীক্ষার সার্কিটটি বুঝতে পেরেছি। ইন্ডাক্টরের উভয় প্রান্তটি মূলত 5 ভিতে আবদ্ধ হয় যার অর্থ দুটি ক্যাপাসিটার (সি 1 এবং সি 2) সিমুলেশনটিতে কোনও অবদান রাখে না। যদি আপনার আসল বুস্ট রূপান্তরটি এই পদ্ধতিতে সাজানো হয় তবে এটি কোনও বুস্ট রূপান্তরকারী নয় এবং কখনও কাজ করবে না। এল 1 কে ডি 1 এর মাধ্যমে তার সঞ্চিত শক্তি লোডে ছেড়ে দিতে হবে, যা কখনই ঘটতে পারে না যখন ডি 1 এবং লোডটি দেখানো হিসাবে সংযুক্ত করা হয়। ইনপুট এবং আউটপুট মধ্যে একমাত্র সংযোগ অবশ্যই L1 এবং D1 এর মাধ্যমে হওয়া উচিত। আমি আর 1 কে কিউ 1 এর উত্সে রেখেছি এবং একটি গাণিতিক নির্মাণের পরিবর্তে একক গ্রাউন্ড-রেফারেন্সড পরিমাপ করব। (এল 1 কেবলমাত্র কিউ 1 চালু থাকলেই পরিপূর্ণ হবে, সুতরাং যখন Q1 বন্ধ থাকে তখন এটি পরিমাপ অপ্রাসঙ্গিক হয়))

Answer 2

উত্তর পরিবর্তিত প্রশ্নের জন্য পরিবর্তন করা

এই উত্তরটি সম্পাদনা করা হয়েছে কারণ প্রশ্নের ফোকাস পরিবর্তিত হয়েছে। আমার মূল উত্তরটি এখনও নীচে রয়েছে কারণ এটি মূল প্রশ্নের সাথে সম্পর্কিত।

যে কোনও সূচকগুলিতে, বি (চৌম্বকীয় প্রবাহের ঘনত্ব) এবং এইচ (চৌম্বকীয় ক্ষেত্র শক্তি) বিএইচ বক্ররেখা গঠন করে এবং সেই বক্ররেখা থেকে আপনি দেখতে পান যে বি এইচ এর সাথে রৈখিকভাবে বৃদ্ধি করে না - এটিকে স্যাচুরেশন বলা হয়: -

এইচ হ'ল প্রবাহ তৈরির পিছনে অ্যাম্পিয়ার-টার্নস চালিকা শক্তি এবং প্রতি মিটার অ্যাম্পিয়ারের ইউনিটগুলিতে মাত্রাযুক্ত। এটি সূত্রটি হ'ল:

$\frac{I N}{l_e}$$l_e$$l_e$$\pi$

বি, ফ্লাক্স ঘনত্ব নিম্নলিখিত সূত্রে এইচ সম্পর্কিত:

$\frac{B}{H} = \mu_0 \mu_r$

$\mu_o$$\mu_r$$4\pi\times10^{-7}$

সুতরাং, আপনি যদি জানেন যে আপনার বর্তমান শিখরগুলি কী (যা প্রত্যাশিত) এবং আপনি জানেন যে আপনার কতগুলি টার্ন রয়েছে (এবং কোন উপাদান এবং মূল আকার আপনি ব্যবহার করছেন) আপনি বি, ফ্লাক্স ঘনত্ব গণনা করতে পারেন।

$l_e$

$H = \frac{0.077 \times 51}{0.05415} = 72.5$

যদি আমরা এটি বি / এইচ সূত্রে প্লাগ করে এবং N87 এর ডেটা শীট থেকে আপেক্ষিক ব্যাপ্তিযোগ্যতা (2200) ব্যবহার করি: -

$B = 4\pi\times10^{-7}\times 72.5\times 2200$

এর অর্থ কেবল এটিই হতে পারে যে কোরটি স্যাচুরেটিং কারণ:

• ইন্ডাক্টর আবার স্পন্দিত হওয়ার পরে সমস্ত চৌম্বকীয় শক্তি সরিয়ে ফেলা হয় না
• রিমানেন্স ফ্লাক্স + নতুন ফ্লাক্স (নাড়ি) স্যাচুরেশন ঘটায় (বিএইচ বক্ররেখা চিত্র দেখুন)
• যে কারণেই হোক না কেন, আরও বেশি কারেন্ট ইন্ডাক্টরের দিকে যাচ্ছে
• অসদৃশ বলে মনে হয়, ফেরাইটটি N87 নয়

ব্যক্তিগতভাবে আমি রিমানেন্স ফ্লাক্স ঘনত্বের দিকে তাকিয়ে দেখব যে এটি কতটা উচ্চ হতে পারে। স্রেফ একবার দেখে নেওয়া হয়েছে এবং N87 এর জন্য অনুমানের ক্ষেত্র শক্তিটি 21 এ / মি / আপনি রিমানেন্স ফ্লাক্স থেকে মুক্তি পাচ্ছেন না বলে 21 এ / এম এর সমতুল্য চৌম্বকীয় ক্ষেত্র শক্তি রয়েছে যা 72.5 A / m এর সাথে যুক্ত করে যার অর্থ আপনি প্রয়োগ করছেন আসলে আপনি 93.5A / m প্রয়োগ করছেন এবং এর ফলস ঘনত্বের ফলস্বরূপ আরও 260mT মত।

$A_L$

$0.077\times\sqrt{2}$

আসল উত্তর

নীচে ওপি দ্বারা একটি মন্তব্য নেওয়া হয়েছিল এবং আমার ব্যাখ্যাটি আরও নীচে তার পদ্ধতিটি ত্রুটিযুক্ত তা ব্যাখ্যা করার জন্য রয়েছে: -

প্রথমে আমি 8.১২ এমএইচ ইন্ডাক্টরের সাথে সিরিজে 1.5 কোহম প্রতিরোধক ব্যবহার করেছি এবং half 61 কেএইচজেড 1vpp সাইন ওয়েভ এ অর্ধ প্রশস্ততা যাচাই করেছি

$X_L$$\frac{1500}{2\Pi F}$

বাস্তবে যদি ইন্ডাক্টরের জুড়ে 1Vp-p থাকে তবে এটি তখনই ঘটবে যখন 1060 ওহমের মতো এটির একটি প্রতিক্রিয়া হবে এবং 61kHz এ, যখন এল = 2.8 এমএইচ হবে।

$T_{ON}$

Comments

আমি যখন এলটিএসপাইসে সার্কিট পরিচালনা করি তখন আমি 61 কেএইচজেডে অর্ধ ভোল্টেজ (-6 ডিবি) পাই। আমি একই ফল নির্ধারণের জন্য প্রাথমিকভাবে ল্যাপ্লেস বিশ্লেষণ ব্যবহার করেছি।

— ইওকনাইটাইমার্স

আমি যখন বোঝাতে চাইছিলাম আমি যখন এটি 6.8mH এবং 1.5kohm দিয়ে চালিত করি তখন আমি 61kHz এ অর্ধ ভোল্টেজ পাই। আমি যখন পরিবর্তে এটি 2.8mHH এ চালিত করি, তখন এটি কাট অফটি 150kHz এ স্থানান্তর করে।

— ইওকনাইটাইমার্স

এছাড়াও, আমার সার্কিট এলপিএফ কনফিগারেশনে রয়েছে, আমার এটি প্রাথমিকভাবে উল্লেখ করা উচিত ছিল।

— ইওকনাইটাইমার্স

ঠিক আছে, উপরের মন্তব্যগুলি এসি বিশ্লেষণ (বোড প্লট) সহ। আমি যখন একটি ক্ষণস্থায়ী বিশ্লেষণ করি তখন আপনার মান কাজ করে। আমি বিভ্রান্ত হয়ে পড়েছি কেন এসি বিশ্লেষণ আমাকে বলছে যে আমার অর্জিত ভোল্টেজটিতে অর্ধ ভোল্টেজ রয়েছে, তবে সময়ের ডোমেন এতে একমত নয়।

— এভোকনাইটরেমস

আমি দেখতে পেয়েছি যে রেজিস্টর এবং ইন্ডাক্টর অদলবদল করে একটি বড় পার্থক্য। আপনি এটি আঁকতে এইচপিএফ কনফিগারেশনে, আপনি সঠিক। এলপিএফ কনফিগারেশনে যেমন আমি এটি গণনা করেছি এবং পরীক্ষা করেছি, আমি সঠিক।

— ইওকনাইটাইমার্স